Hidrotermal üsulla işlənmiş HGTR (yüksək anti-boz yol) KTP kristalı, flux yetişən KTP-nin ümumi elektrokromizm fenomenini dəf edir, beləliklə yüksək elektrik müqaviməti, aşağı giriş itkisi, aşağı yarım dalğa gərginliyi, yüksək lazer zədəsi kimi bir çox üstünlüklərə malikdir eşik və geniş ötürmə bantı.

HGTR-KTP kristalından hazırlanan KTP Pockell hüceyrələri əsasən dar nəbz genişliyi və yüksək təkrarlanma tezliyi olan nəbz lazerlərində istifadə olunur. Yüksək yayılma nisbəti, aşağı yarım dalğalı gərginlik və yüksək təkrarlanma tezliyində heç bir piezoelektrik zəng effekti verən üstünlüklər verən KTP Pockels hüceyrələri lazer aralığında, lazer qapağında, tibbi lazerlərdə və sənaye lazerlərində və s. Geniş istifadə olunur.

WISOPTIC texniki məsləhət, dizayn xidməti, xüsusi test nümunəsi və KTP Pockels hüceyrələrinin sürətli çatdırılma standart məhsullarını təqdim edir.

KTP Pockels hücrəsinin tətbiqi üçün ən yaxşı həll yolu tapmaq üçün bizimlə əlaqə saxlayın.

KTP cibləri hüceyrəsinin WISOPTIC üstünlükləri

• Geniş optik bant genişliyi (0.5-3km)

• Aşağı giriş itkisi

• Aşağı yarım dalğalı gərginlik

• Aşağı iş gərginliyi

• Yüksək məhv olma nisbəti

• Çox yüksək lazer ziyan həddi

• Piezoelektrik zəng effekti yoxdur

• Super sürətli gərginlikli sürücülər ilə yüksək təkrarlanan sürət lazerində dəqiq keçid

Böyük temperatur aralığında işləmək üçün termal kompensasiya edilmiş dizayn

• Yığcam dizayn, quraşdırmaq və tənzimləmək çox asandır

• Yüksək ekoloji müqavimət və uzun xidmət müddəti olan keyfiyyətli KTP kristal

KTP Pockels Hüceyrəsinin WISOPTIC Texniki məlumatları

KTP cütündən birinin ölçüləri (mm)	X-kes		Y-kəs		Elektrik müqaviməti (Ohm · sm)
	HWV @ 1064nm (V)	Kəsilmə nisbəti @ 633nm (dB)	HWV @ 1064nm (V)	Kəsilmə nisbəti @ 633nm (dB)
3 × 3 × 10	1200	> 20	1000	> 20	> 1011
4 × 4 × 10	1600	> 20	1300	> 20	> 1011
5 × 5 × 10	2000	> 20	1600	> 20	> 1011
6 × 6 × 10	2300	> 20	1900	> 20	> 1011
7 × 7 × 10	2700	> 20	2200	> 20	> 1011
8 × 8 × 10	3100	> 20	2500	> 20	> 1011
9 × 9 × 10	3500	> 20	2800	> 20	> 1011
Zərər həddi: > 600 MW / sm2 10 ns impuls üçün @ 1064 nm (AR örtük)